Tụ điện phân SMD tiêu chuẩn FVE

Tụ điện điện phân SMD tiêu chuẩn FVE do BEC sản xuất là phiên bản-gắn trên bề mặt của tụ điện điện phân xuyên lỗ-truyền thống. Nó được thiết kế để hàn nóng chảy lại các bảng mạch in trong cụm công nghệ gắn trên bề mặt hiện đại. Nó giữ lại cấu trúc lưu trữ-năng lượng điện hóa cốt lõi của tụ điện điện phân (cực dương, cực âm, môi trường điện phân, lớp oxit điện môi) nhưng có gói phẳng, nhỏ gọn với các đầu cuối được mạ kim loại để gắn trực tiếp PCB-loại bỏ các dây dẫn xuyên tâm hoặc hướng trục của các biến thể xuyên{7}}lỗ. Là một thành phần thụ động có điện dung-phân cực, cao, nó là thành phần chính trong thiết bị điện tử SMT cho các chức năng liên quan đến nguồn-(làm mịn, tách rời, lưu trữ năng lượng số lượng lớn) trong đó MLCC không thể cung cấp đủ mật độ điện dung.

Ngành-Kích thước tiêu chuẩn:EIA-đường kính*chiều cao được chỉ định (D×H) tính bằng milimét - dấu chân chung cho PCB SMT:

Cấu hình cực thấp: 4×5 mm, 5×5 mm (chiều cao Nhỏ hơn hoặc bằng 5 mm - đối với thiết bị đeo/điện thoại thông minh)

Tiêu chuẩn: 6.3×7.5mm, 8×10mm, 10×12mm (dành cho điện tử tiêu dùng/công nghiệp)

Lớn: 12,5×20 mm, 18×25 mm (đối với nguồn điện áp cao-cap/cao{5}})

Chấm dứt:Các đầu cuối bằng đồng phẳng, mạ thiếc-niken - được thiết kế để hàn trực tiếp vào các tấm PCB SMD (không có dây dẫn). Bố cục pad tuân theo các tiêu chuẩn EIA để có khả năng tương thích phổ quát.

Đánh dấu:Laser-được in trên thân máy điện dung - (ví dụ: 100μF), định mức điện áp (ví dụ: 25V), dung sai (M), sọc âm (-), logo nhà sản xuất và mã ngày.

Điện dung và dải điện áp cao.

Value Range: typically from 0.1µF up to several thousand µF (e.g., 6800µF). They fill the gap between high-value MLCCs (rarely >100µF) và tụ điện có thể lớn hơn.

Dải điện áp: Định mức phổ biến từ 2,5V đến 100V+, phù hợp với các đường ray điện tiêu chuẩn (3,3V, 5V, 12V, 24V, 48V).

Nhấn

Thiêu kết

Anodizing

Lão hóa

Mã hóa Laser

Kiểm tra dòng điện rò rỉ

Xe tăng hình thành

Lò lão hóa

Lò thiêu kết

Máy-tự động ghi hình